图揭英特尔制造工艺究竟有何过人之处

2019-08-15 18:02:49 来源: 陕西信息港

  之前我们详细了解过Intel 14nm工艺的过人之处,但那基本只是单一的介绍,没有和其他厂商、其他工艺的正面对比。日本同行PCWatch近日也对Intel新工艺做了一番解析,更加凸显了世界芯片巨头的强悍。

  Intel22nm工艺已经率先使用了 D立体晶体管,14nm上将进化到第二代,其他厂商则会陆续上马类似的FinFET,包括台积电16nm、三星/GlobalFoundries14nm。

  来看看几个工艺的间距数据:

  Intel14nm的栅极间距为70nm,内部互联小间距为52nm,这两项指标分别比22nm缩小了22%、 5%。

  相比之下,台积电16nm、三星/GF14nm的栅极间距分别是90nm、78nm,前者只相当于Intel22nm的水平,后者也略弱一些,而内部互联小间距则都是64nm,相比于Intel大了2 %。

  这些间距越小,就可以把晶体管做得更小、更密,对于电路集成度、芯片性能的重要性不言而喻。

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